Grâce à sa technologie V-NAND, Samsung est désormais capable de produire en masse des puces mémoire flash d'une capacité de 256 Go qui pourront être intégrées à la prochaine génération de smartphones. Une vitesse de transfert allant jusqu'à 850 megabits/seconde est annoncée.
Samsung fait monter d'un cran la densité de ses puces flash destinées notamment au stockage interne des smartphones. Le constructeur coréen a annoncé débuter la production en masse de puces mémoire flash de très grande capacité destinées, plus petites que les cartes microSD, et pouvant atteindre désormais les 256 Go de stockage grâce à la technologie V-NAND de Samsung.
Basée sur les spécifications Universal Flash Storage (UFS) 2.0, cette nouvelle mémoire est près de deux fois plus rapide que les SSD SATA sur PC a fait savoir Samsung. La dernière puce du constructeur coréen peut ainsi atteindre une vitesse de transfert de données de 850 megabits/seconde. Pour illustrer cette rapidité, la société indique qu'il suffit de près de 12 secondes pour transférer sur cette puce un film HD de 90 minutes de près de 5 Go via un cable USB 3.0.
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