Samsung a lancé la production de sa troisième génération de V-NAND.
C'est la troisième génération de V-NAND dont le constructeur coréen va pouvoir approvisionner le marché. Basée sur une architecture à 48 couches, elle offre une densité deux fois supérieure à la seconde génération de mémoire de ce type que Samsung avait lancée il y a un an.
La production à grande échelle de la troisième génération de mémoire flash V-NAND (NAND 3D à 256Gb) griffée Samsung a débutée. Une avancée qui ouvre la voie à la commercialisation de modules de capacité supérieure mais de taille égale à celle de leurs prédécesseurs. Les nouveaux composants fournis par les usines du fabricant Coréen embarquent 48 couches de cellules multiniveau (MLC) de 3 bits, et offrent ainsi 32 Go de capacité de stockage sur une seule puce. Cela revient à un doublement de la densité de stockage de la conventionnelle puce NAND (128 Gb), tout en réalisant une économie d'énergie de 30%, assure Samsung.
Contrairement à la mémoire NAND classique, la V-NAND de Samsung embarque une structure CTF (Charge Trap Flash) 3D de 48 couches de baies empilées, à l'image d'un petit gratte-ciel. Les baies sont électriquement connectées par 1,8 milliards de trous percés à travers ces couches. Chaque puce possède ainsi plus de 85,3 milliards de cellules, dont chacune stocke 3 bits de données.
Samsung a déclaré vouloir destiner ces puces aux entreprises et aux utilisateurs de systèmes de stockage de données. Il veut également les utiliser pour promouvoir l'adoption des SSD capables de stocker plusieurs To. En Juin, Samsung avait déjà annoncé un SSD de 2 To dans d'un format de 2,5'', à même d'équiper les ordinateurs portables et les PC de bureau.
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