La DRAM et le stockage flash bientôt détrônées par une RRAM ?

« La RRAM utilise des matériaux existants et peut être fabriquée en usine. D'ailleurs, des prototypes sont en cours d'élaboration dans des usines de TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) », a déclaré George Minassian. « La RRAM de Crossbar ne contient pas de transistors, elle est donc facile à fabriquer, c'est d'autant plus appréciable que la taille des processeurs se réduit », a-t-il encore ajouté. « La technologie Crossbar est très intéressante et pourrait s'avérer très utile au moment où les technologies de fabrication évoluent et que les puces deviennent plus petites », a déclaré par courriel Jim Handy, analyste principal chez Objective Analysis. «  On sait qu'un jour - sans savoir vraiment à quel moment - les mémoires NAND et DRAM seront remplacées par autre chose, étant donnés les problèmes de mise à l'échelle de ces technologies », a-t-il déclaré.

D'autres designs de RRAM font l'objet de recherche

« Les mémoires NAND et DRAM deviennent de plus en plus complexes à réaliser alors que la technologie de fabrication s'améliore de plus en plus vite », a déclaré Jim Handy. Intel, qui possède les usines de fabrication de puces parmi les plus avancées au monde, va bientôt passer au processus de gravure à 14 nanomètres pour réaliser ses puces. Faire des puces plus petites avec plus de fonctionnalités nécessite beaucoup plus de précision, et le risque d'avoir des imperfections augmente. « Avec ces éléments à l'esprit, et sachant qu'une 3D NAND va succéder à la NAND 2D actuelle, il faudra peut-être cinq générations de fabrication, voire plus, avant que des technologies de mémoire alternatives viennent remplacer la mémoire flash NAND. Et c'est probablement la même chose pour la DRAM », a déclaré l'analyste.

« Mais, dès qu'on atteindra un plafond, des technologies comme la RRAM de Crossbar pourraient prendre rapidement des parts de marché aux acteurs établis », a déclaré l'analyste. D'autres designs de RRAM font l'objet de recherches dans des universités et des instituts. Il existe par exemple d'autres formes de mémoire NAND et DRAM comme la MRAM (une RAM magnéto-resistive) de Everspin et la PCM (mémoire à changement de phase), sur laquelle travaillent Micron et Samsung Semiconductor. Et Hewlett-Packard travaille aussi sur un type de mémoire appelé memristor.