De type DRAM (Dynamic Random Access Memory), la barrette mémoire d'1 Go du Coréen Samsung se destine aux périphériques mobiles de type agendas électroniques, PMP et autres petits portables multimédia. La puce utilise la technologie de gravure en 80 nanomètres, ce qui permet de réduire la taille du composant d'au moins 20% par rapport aux actuels packs mémoire de 512 Mo. Grâce à une nouvelle caractéristique de sensibilisation à la température liée au cycle de rafraîchissement de la mémoire, la puce réduit sa consommation d'énergie d'au moins 30% en mode inactif par rapport aux mémoires actuelles. Samsung précise dans son annonce de mercredi dernier que cette nouvelle mémoire pourra être combinée avec les mémoires de type Flash, et envisage la production dès le second trimestre 2007.
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