Mémoire : Samsung fait monter la barette de DDR2 à 4 Go

Après Intel et IBM, c'est au tour de Samsung de se lancer sur le terrain de la technologie TSV, qui permet la fabrication de barrettes de mémoire vive de grande capacité. TSV (Through Silicon Via) repose sur l'empilement des puces sur un même support, à l'intérieur desquelles sont creusés des sillons de quelques microns pour faire passer les fils de cuivre permettant de relier les composants. De fait, les puces sont posées les unes sur les autres sans aucun espace vide ni connexion apparente. L'ensemble gagne en compacité et permet surtout la construction de barrettes aux capacités accrues. Samsung annonce ainsi avoir mis au point un module constitué de quatre puces de 512 Mo de DDR2, soit un ensemble de plus de 2 Go. Le constructeur a ensuite empilé deux modules sur une même barrette pour aboutir à un ensemble de plus de 4 Go, là où les barrettes de DDR actuelles plafonnent à 2 Go. Samsung prévoit d'appliquer la technologie TSV à la DDR3. Surtout, le Coréen envisage d'en poursuivre les développements pour « la prochaine génération d'ordinateurs en 2010 et au-delà ».