La mémoire flash cinq fois plus rapide cet été

Intel et Micron Technology viennent d'annoncer la mise au point d'une mémoire flash Nand offrant des vitesses de transfert de données cinq fois plus rapides que la Nand actuelle. La technologie a été développée par IM Flash Technologies, la co-entreprise créée en 2005 par les deux partenaires. Un échantillon de cette nouvelle mémoire flash - nommée high-speed Nand - est d'ores et déjà en cours de test par les fabricants, la production à grande échelle étant prévue pour cet été. En offrant des taux de transfert capables d'atteindre 200 Mo/s en lecture et 100 Mo/s en écriture, la high-speed Nand devrait intéresser les constructeurs de clés USB, lecteurs multimédia et autres périphériques mobiles. De même, les disques à base de mémoire flash - SSD, solid state drive - et les disques durs hybrides profiteront des débits offerts par la technologie mise au point par Intel et Micron. Ce dernier prévoit d'ailleurs de faire évoluer sa gamme de SSD, lancée en novembre 2007, afin qu'elle bénéficie de la high-speed Nand. Pour parvenir à quintupler la vitesse de la Nand traditionnelle, IM Flash Technologies s'est appuyé sur l'interface Open Nand Flash 2.0 et sur une architecture à quatre plans autorisant des fréquences plus élevées. La démarche d'Intel et de Micron dénote des pistes de recherche suivies par leurs concurrents. « Les fabricants de Nand sont concentrés sur la densité du stockage, explique-t-on chez Micron. La densité est une chose intéressante mais, si l'on s'intéresse à l'usage qui en est fait, nous estimons que la vitesse est le domaine le plus susceptible de bénéficier des améliorations de l'architecture. »